Samsung prepara la prossima generazione di SoC a 10nm

Una delle caratteristiche dei nuovi Galaxy S8 e S8 Plus riguarda la presenza di SoC realizzati con processo produttivo FinFET a 10nm, sia nelle varianti dotate di Snapdragon 835 sia in quelle equipaggiate con Exynos 8895. Il nuovo processo produttivo ha permesso di ridurre ulteriormente la dimensione dei chip e di abbattere i consumi energetici, introducendo nuovi standard per tutta la categoria.

Stando a quanto dichiarato da Samsung, sembra che la società sudcoreana sia pronta a passare al prossimo step, introducendo una nuova generazione di SoC a 10nm basati sul processo LPP (Low-Power Plus), il quale permetterà di realizzare chip ancora più performanti e parsimoniosi di quelli attualmente in commercio. Nello specifico si parla di un incremento medio del 10% per quanto riguarda le prestazioni, mentre l'efficienza energetica dovrebbe aumentare del 15%.

Si tratta senza dubbio di incrementi marginali, i quali non stravolgono le carte in tavola ad oggi, ma ci danno un'idea di quelle che potrebbero essere le revisioni invernali dei SoC di fine anno. Come abbiamo visto nel 2016, grazie a Snapdragon 821, Qualcomm potrebbe presentare una versione ulteriormente potenziata di Snapdragon 835, così come Samsung potrebbe aggiornare il suo Exynos 8895, magari in concomitanza con il lancio del suo prossimo atteso phablet.

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